FDMC6679AZ 与 BSZ086P03NS3 G 区别
| 型号 | FDMC6679AZ | BSZ086P03NS3 G |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-FDMC6679AZ | A-BSZ086P03NS3 G |
| 制造商 | ON Semiconductor | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single P-Channel 30 V 18 mOhm 91 nC 2.3 W PowerTrench SMT Mosfet - MLP 3.3x3.3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 10m Ohms@11.5A,10V | 6.5mΩ |
| 上升时间 | - | 46ns |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.3W(Ta),41W(Tc) | 69W |
| Qg-栅极电荷 | - | 57.5nC |
| 栅极电压Vgs | ±25V | 25V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 30S |
| 典型关闭延迟时间 | - | 35ns |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | 8-MLP(3.3x3.3) | - |
| 连续漏极电流Id | 11.5A | 40A |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 系列 | PowerTrench® | OptiMOSP3 |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 配置 | - | Single |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3970pF @ 15V | - |
| 长度 | - | 3.3mm |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 91nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - |
| 下降时间 | - | 8ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 16ns |
| 高度 | - | 1.10mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 3,036 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDMC6679AZ | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
11.5A(Ta),20A(Tc) ±25V 2.3W(Ta),41W(Tc) 10m Ohms@11.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerWDFN MLP P-Channel 30V 11.5A 8-MLP(3.3x3.3) |
暂无价格 | 3,036 | 当前型号 |
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BSZ086P03NS3E G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
PG-TSDSON-8 P-Channel 69W 8.6mΩ@-20A,-10V -55°C~150°C ±25V -30V -40A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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BSZ086P03NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
30V 40A 6.5mΩ 25V 69W P-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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